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元件参数资料
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参数目录38909
> IRL640STRR MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
型号:
IRL640STRR
RoHS:
否
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRL640STRR PDF
标准包装
800
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫欧 @ 10A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
66nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1800pF @ 25V
功率 - 最大
3.1W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
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